Samsung 4 GB, DDR3, 1333 MHz, sin búfer, SODIMM, 204 Pines,
Samsung - 4 GB, DDR3, 1333 MHz, sin búfer, SODIMM, 204 Pines, 2 x 2 GB: Tamaño del módulo: 4GB 1x4GB 4GB 2Rx8 PC3L-10600-09-11 F3 baja ram tensión
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SKU B0074HYVU2
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DescripcionTamaño del módulo: 4GB 1x4GB 4GB 2Rx8 PC3L-10600-09-11 F3 baja ram tensión
Paquete: 204-pin SODIMM
Característica: DDR3 PC3-10600
Especificaciones: DDR3 PC3-10600, CL9, Sin memoria intermedia, no ECC, DDR3-1333, 1.35V, 512Megx64
Garantía de por vida. Adecuado para iMac, MacbookPro, MacMini y ventanas laptops apoyo DDR3 1333MHz 204 PIN SODIMM. Asegúrese de que, el equipo suppport 4GB RAM en la ranura.
Detalles de Producto
| Marca | Samsung |
|---|---|
| Fabricante | Samsung |
| Grupo Producto | Ordenador personal |
| Relacionado | Ordenadores personales |
| Unidades | |
| EAN | |
| UPC | |
| SKU | |
| ASIN | B0074HYVU2 |
